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	<title>Menéame: comentarios [1657438]</title>
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	<description>Sitio colaborativo de publicación y comunicación entre blogs</description>
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		<title>#3 Nuevo y revolucionario chip de memoria</title>
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		<pubDate>Sat, 07 Jul 2012 11:42:52 +0000</pubDate>
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		<description><![CDATA[<p><a href="http://noticiasdelaciencia.com/upload/img/periodico/img_8736.jpg" title="noticiasdelaciencia.com/upload/img/periodico/img_8736.jpg" rel="nofollow">noticiasdelaciencia.com/upload/img/periodico/img_8736.jpg</a><br />
<b>+</b><br />
<a href="http://4.bp.blogspot.com/-cuaSlFCRvsw/T7YkmgqQWFI/AAAAAAAADeU/RjH1qVK_sbo/s1600/mariano-rajoy.jpg" title="4.bp.blogspot.com/-cuaSlFCRvsw/T7YkmgqQWFI/AAAAAAAADeU/RjH1qVK_sbo/s1600/mariano-rajoy.jpg" rel="nofollow">4.bp.blogspot.com/-cuaSlFCRvsw/T7YkmgqQWFI/AAAAAAAADeU/RjH1qVK_sbo/s16</a><br />
<b>=</b><br />
<a href="http://i2.listal.com/image/1893409/600full-rain-man-screenshot.jpg" title="i2.listal.com/image/1893409/600full-rain-man-screenshot.jpg" rel="nofollow">i2.listal.com/image/1893409/600full-rain-man-screenshot.jpg</a></p><p>&#187;&nbsp;autor: <strong>sleep_timer</strong></p>]]></description>
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		<title>#2 Nuevo y revolucionario chip de memoria</title>
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		<pubDate>Sat, 07 Jul 2012 11:41:02 +0000</pubDate>
		<dc:creator>ignipa2</dc:creator>
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		<description><![CDATA[<p>Con esta RAM no volátil (que no se borra al apagar) los ordenadores se encenderian en 1 segundo o menos</p><p>&#187;&nbsp;autor: <strong>ignipa2</strong></p>]]></description>
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		<title>#1 Nuevo y revolucionario chip de memoria</title>
		<link>https://www.meneame.net/story/nuevo-revolucionario-chip-memoria/c01#c-1</link>
		<pubDate>Sat, 07 Jul 2012 11:29:49 +0000</pubDate>
		<dc:creator>--330920--</dc:creator>
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		<description><![CDATA[<p>Este logro abre una puerta hacia el desarrollo de nuevas memorias de alta velocidad para ordenadores.<br />
<br />
Los chips de memoria RAM resistiva se basan en materiales, en su mayoría óxidos de metales, que al aplicarles un voltaje cambian su resistencia eléctrica y &#34;recuerdan&#34; este cambio incluso después haberles retirado el voltaje.<br />
<br />
Estos chips de memoria prometen permitir un almacenamiento de memoria significativamente mayor que el de la tecnología actual, como las memorias flash usadas en dispositivos de memoria USB, y requieren de mucho menos espacio y energía.<br />
<br />
El equipo de Tony Kenyon y Adnan Mehonic ha desarrollado una novedosa estructura compuesta de óxido de silicio que realiza el cambio en la resistencia eléctrica de un modo mucho más eficiente que el conseguido anteriormente.<br />
<br />
En su material, la disposición de los átomos de silicio cambia para formar filamentos de silicio dentro del óxido de silicio sólido. Dichos filamentos tienen una menor resistencia.<br />
<br />
La presencia o ausencia de estos filamentos representa un cambio de un estado a otro.<br />
<br />
A diferencia de otros chips de óxido de silicio actualmente en desarrollo, este chip no requiere del vacío para poder funcionar, y sería por tanto más barato y duradero.<br />
<br />
El diseño del nuevo chip también plantea la posibilidad de desarrollar chips de memoria transparentes que puedan ser usados en pantallas táctiles y dispositivos móviles.<br />
<br />
(Foto: UCL/Adnan Mehonic)</p><p>&#187;&nbsp;autor: <strong>--330920--</strong></p>]]></description>
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