Ambas compañías esperan que los primeros productos de 45nm que utilicen litografía de inmersión y constante dieléctrica de interconexión ultra baja estén disponibles a mediados de 2008. En la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos (IEDM), IBM y AMD presentaron documentos que describen el uso de litografía de inmersión, constante dieléctrica de interconexión ultra baja y diversas técnicas mejoradas de tensión del transistor para aplicar a la generación de procesos de microprocesadores de 45nm.