Puede definirse como “una memoria no volátil con el potencial de lograr un almacenamiento de electrones rápido y de energía ultrabaja”. Es capaz de combinar la no volatilidad de la memoria de almacenamiento de datos tradicional a la par que mantiene la velocidad y resistencia de la RAM, lo que quiere decir que podría implementarse como una memoria universal en un futuro.
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