Un equipo de la Universidad de Purdue (en Indiana, Estados Unidos) ha propuesto un esquema distinto para las memorias del futuro, las memorias FeTRAM, las cuales serían mucho más rápidas y consumirían mucho menos. Esta nueva tecnología combinaría nanocables de Silicio con un polímero ferroeléctrico, un material que cambia la polaridad de los campos electromagnéticos cuando éstos se aplican, formándose así un nuevo tipo de transistor ferroeléctrico.
Comentarios
Una noticia escrita 100% en condicional: Humo.
#1 Puede ser... pero la poca información técnica que publican no parece falsa. Y además añaden que están en las primeras fases de laboratorio; lo que a mi parecer, diluye un bastante la redacción en condicional. No parece que quieran ocultar otra cosa que lo necesario para no dar demasiadas pistas a una posible competencia.
Yo la leí en castellano hace unas horas y me da la impresión de que lo que buscan con esta difusión temprana, son inversores
Un saludo