Toshiba Corporation ha anunciado el desarrollo de una nueva memoria FeRAM (Memoria de acceso aleatorio Ferroeléctrica) con la que se alcanza un nuevo récord en velocidad y densidad de almacenamiento de las memorias flash. En concreto, presenta una capacidad de almacenamiento de 64 Megabits y es capaz de leer y escribir a una velocidad de hasta 200 Mbps, con lo que se consigue un mejor rendimiento.
(En inglés: http://www.toshiba.co.jp/about/press/2006_02/pr0701.htm)