El nuevo transistor basado en bismuto podría revolucionar el diseño de chips, ofreciendo una mayor eficiencia y superando las limitaciones del silicio. Un equipo de investigadores de la Universidad de Pekín ha desarrollado un transistor basado en bismuto que supera a los chips de 3 nanómetros de Intel y TSMC. Este nuevo diseño es 40% más rápido y consume un 10% menos de energía, marcando un hito en la tecnología de semiconductores.
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